拉曼散射和光致发光谱联用技术及其应用讲座
各位科研人员:
我们邀请了台湾大学光电所暨电机系的冯哲川教授来所作一次专题报告,为大家介绍拉曼散 射和光致发光谱联用技术及其相关应用,欢迎感兴趣的人员参加!
报告时间:2013年1月8日下午14:00
报告地点:B-203
馮哲川教授自1992年起首次在新加坡与David Pitt和Ken Williams博士交流开始,陆续采用Renishaw微区拉曼系统研究了大量半导体、量子阱及超晶格、氧化物及纳米结构材料等体系,包括IV-IV (SiC,SiGe,porous Si);II-VI (CdTe,ZnTe, CdZnTe,,CdSeTe, CdMnTe);III-V (GaAs,InAs,InSb,CdSb,AlGaAs,InGaAs,InGaSb,InGaP, InAlGaP,, InAlGaAs); III-Nitides (GaN,AlN,InN,InGaN, AlGaN,InAlGaN);ZnO & MgZnO,AlZnO;Oxides (PbTiO3, PbLaTiO3, PbZrTiO3, BaSrTiO3); 纳米结构(Carbon nanotubes, III-N & ZnO based nanowires, nanorods)等。其中采用了多种不同的激光激发源,工作温度和压力,更重要的是使用多种分析方法,包括高分辨透射电子显微镜(HRTEM), 光致发光谱(PL), 时间分辨光致发光谱, 傅里叶变换红外光谱(FT-IR), X-射线光电子能谱(XPS), 二次离子质谱(SIMS), 卢瑟福被散射(RBS), 同步辐射XRD和XAS等进行联用,实现了新材料与新结构的跨领域研究。
公共技术技术服务中心 2013-1-5
我们邀请了台湾大学光电所暨电机系的冯哲川教授来所作一次专题报告,为大家介绍拉曼散 射和光致发光谱联用技术及其相关应用,欢迎感兴趣的人员参加!
报告时间:2013年1月8日下午14:00
报告地点:B-203
馮哲川教授自1992年起首次在新加坡与David Pitt和Ken Williams博士交流开始,陆续采用Renishaw微区拉曼系统研究了大量半导体、量子阱及超晶格、氧化物及纳米结构材料等体系,包括IV-IV (SiC,SiGe,porous Si);II-VI (CdTe,ZnTe, CdZnTe,,CdSeTe, CdMnTe);III-V (GaAs,InAs,InSb,CdSb,AlGaAs,InGaAs,InGaSb,InGaP, InAlGaP,, InAlGaAs); III-Nitides (GaN,AlN,InN,InGaN, AlGaN,InAlGaN);ZnO & MgZnO,AlZnO;Oxides (PbTiO3, PbLaTiO3, PbZrTiO3, BaSrTiO3); 纳米结构(Carbon nanotubes, III-N & ZnO based nanowires, nanorods)等。其中采用了多种不同的激光激发源,工作温度和压力,更重要的是使用多种分析方法,包括高分辨透射电子显微镜(HRTEM), 光致发光谱(PL), 时间分辨光致发光谱, 傅里叶变换红外光谱(FT-IR), X-射线光电子能谱(XPS), 二次离子质谱(SIMS), 卢瑟福被散射(RBS), 同步辐射XRD和XAS等进行联用,实现了新材料与新结构的跨领域研究。
公共技术技术服务中心 2013-1-5
作者:, 日期:2013-11-27