飞行时间二次离子质谱仪（TOF-SIMS）

德国

IONTOF

M6

一、主要功能

飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS），即静态二次离子质谱，是飞行时间和二次离子质谱结合的一种表面分析技术。主要通过质谱分析、表面成像（可二维成像）、深度剖析（可三维重构）等功能，分析样品表面元素成分和分布。具有高分辨、高灵敏度等特点。广泛应用于微电子、能源、高分子、生物医药、催化、金属冶金、等领域。

二、设备配置

1）包含分析器、真空系统、软硬件等基本配置

2）Bi离子源：第二代液态金属团簇离子源30 kV

3）Gas Cluster 离子源：气体团簇离子源

4）DSC-S：作为溅射离子源用于深度分析：

EI Source ：可为O源、Ar源；

Cs Source ：Cs离子源

三、主要指标

1）质量分析器：m/z(29u)分辨率≥17000(FWHM)，m/z＞200u分辨率≥26,000(FWHM)，绝缘材料m/z(104 u)≥18,000(FWHM)，质量范围 0–12000

2）Nanoprobe 50 Bi 源：最优横向分辨率≤50 nm，DC 束流≥40 nA

3）信噪比：I(28Si+)/ I(28.5 u)> 2× 10⁵

4）真空：分析室≤ 6.7 × 10^-10mbar

四、送样需知

（1）仪器属于超高真空设备，样品为块体、薄膜或粉末，务必完全干燥，不分解，无腐蚀性，无放射性；

（2）可测导体、半导体和绝缘材料；

（3）接触过水分的块体、粉末等务必完全烘干；

（4）粉末样品至少需要10 mg；

（5）常规块体或薄膜样品厚度小于10 mm，测试面和对应面需平行。

测试中心本部

B105

苗利静

13586831643

江柯敏

13567902800

李琪刚

15888511430

马宏宇

18804012898