厂 商 德国Buchanan
型 号 CVP21
到货日期 2011年3月

1，主要特点及用途
电化学 ECV主要用于半导体材料的研究及开发，其原理是使用电化学电容-电压法来测量半导体材料的掺杂浓度分布。此外，也是分析或发展半导体光-电化学湿法蚀刻(PEC Etching)很好的选择。
此设备可监控掺杂浓度、电学活性掺杂浓度、掺杂类型(N型或 P型)，可测量剖面深度，
深度分辨率打到 1纳米水平，可分离多层薄膜的测量数据，可以分析晶圆形貌，并且制样方便，无须预先机械或蚀刻准备。

2，设备技术指标
1) 应用范围
* IV族化合物半导体如：硅(Si)、锗(Ge)、碳化硅(SiC)
* III-V族化合物半导体如：砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)
* 多元III-V族化合物半导体如：铝镓砷(AlGaAs)、镓铟磷(GaInP)、铝铟砷
(AlInAs)
* II-VI族化合物半导体如：氧化锌(ZnO)、碲化镉(CdTe)、汞镉碲(HgCdTe)
2) 样品形态
多层结构的薄膜材料、基底没有限制(基底导电或绝缘均可)、标准样品尺寸从 4×2mm～ 8 英寸晶圆。
3) 分辨率范围
* 载流子浓度分辨率范围从1012cm-3～1021cm-3
* 深度分辨率范围从 1nm～100um (依样品类型、样品质量决定)

3，样品要求
面积不要太小，大致2cm*2cm
厚度无具体要求

4，联系方式：
廖明墩 15706845564 liaomd@nimte.ac.cn

5,实验室
新能源所 E217