厂 商 德国Buchanan 型 号 CVP21 到货日期 2011年3月 1,主要特点及用途 电化学 ECV主要用于半导体材料的研究及开发,其原理是使用电化学电容-电压法来测量半导体材料的掺杂浓度分布。此外,也是分析或发展半导体光-电化学湿法蚀刻(PEC Etching)很好的选择。 此设备可监控掺杂浓度、电学活性掺杂浓度、掺杂类型(N型或 P型),可测量剖面深度, 深度分辨率打到 1纳米水平,可分离多层薄膜的测量数据,可以分析晶圆形貌,并且制样方便,无须预先机械或蚀刻准备。 2,设备技术指标 1) 应用范围 * IV族化合物半导体如:硅(Si)、锗(Ge)、碳化硅(SiC) * III-V族化合物半导体如:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP) * 多元III-V族化合物半导体如:铝镓砷(AlGaAs)、镓铟磷(GaInP)、铝铟砷 (AlInAs) * II-VI族化合物半导体如:氧化锌(ZnO)、碲化镉(CdTe)、汞镉碲(HgCdTe) 2) 样品形态 多层结构的薄膜材料、基底没有限制(基底导电或绝缘均可)、标准样品尺寸从 4×2mm~ 8 英寸晶圆。 3) 分辨率范围 * 载流子浓度分辨率范围从1012cm-3~1021cm-3 * 深度分辨率范围从 1nm~100um (依样品类型、样品质量决定) 3,样品要求 面积不要太小,大致2cm*2cm 厚度无具体要求 4,联系方式: 廖明墩 15706845564 liaomd@nimte.ac.cn 5,实验室 新能源所 E217
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